AMD 被发现93%是臆造硅：与加多超薄芯片强度的念念法相悖

对领有半导体行业最高游戏性能的AMD Ryzen 7 9800X3D进行在意结构分析后发现，该处理器的大部分由臆造硅组成，以看护结构。半导体分析师Tom Wassick的在意分析揭示了AMD第二代3D V-Cache技巧的更动谋划理念。

更动层压结构细节揭晓

半导体分析师 Tom Wassick 的在意分析揭示了 Ryzen 7 9800X3D 里面结构的要紧更动。最值得肃穆的发现是 AMD 领受的新分层措施。与传统处理器谋划不同，第二代 3D V-Cache 技巧将 L3 SRAM 缓存小芯片置于发烧 CCD（计较芯片）下方。

为了收场这种结构，AMD领受了极其精密的加工技巧。令东谈主颂赞的是，CCD 和 SRAM 小芯片的厚度极薄，不到 10 微米。在这种极薄的景况下，称为TSV（硅通孔）的理会电极暴泄漏来，从而不错通过搀杂接合进行集合。此外，即使加上包括金属布线层的BEOL（后端分娩线）部分，SRAM和CCD的总厚度也在40-45微米之内。

真义的是 SRAM 芯片谋划理念的果敢转动。在之前的Ryzen 7000系列中，3D V-Cache小芯片为36闲居毫米，比66.3闲居毫米的CCD小得多。洽商词，在新谋划中，SRAM 芯片每面王人比 CCD 大 50 微米。这一变化被以为具有蹙迫的技巧酷好，但咱们将不得不恭候 Wassick 的进一步分析以赢得更多细节。

集合技巧方面也有更动，TSV 到 TSV 的间距约为 15 微米，比第一代的 17 微米略有编削。需要进一步造访以笃定这种奥密的编削对举座性能编削的孝顺进程。专揽铜的粘合特点的搀杂键合技巧用于集合芯片，从而无需传统焊合。这被以为使得不错收场更薄的接合层并相应地提升热传导效果。

结构保护的更动措施

跟着半导体芯片不断松开，AMD Ryzen 7 9800X3D 中使用的结构保留技巧代表了当代半导体谋划面对的挑战的神秘处理决策。 Wassick 的分析发现，处理器封装的举座厚度约为 800 微米，但大部分由臆造硅制成，以保证结构齐全性。顾惜骨子处理的 CCD 和 SRAM 小芯片以及 BEOL 层的总厚度仅为约 50 微米，其余约 750 微米纯正用于物理保护和结构齐全性。

这种谋划理念的背后是卤莽极薄芯片脆弱性的挑战。加工厚度小于10微米的计较部件极难按原样处理，况且无法承受制造经由或骨子使用经由中出现的物理当力。 AMD 通过在顶部和底部甩掉臆造硅处理了这个问题。这种措施还允许举座封装厚度在 500 至 800 微米领域内，这是 AMD 和英特尔使用的芯片厚度的圭臬。

从热谋划角度也作念出了真义的更动。氧化层用于将芯片粘合在沿途，但其厚度特意因地而异。值得肃穆的是，行为热源的中枢CCD和SRAM之间的氧化物键合层被谋划得比臆造硅和骨子责任部件之间的键合层更薄。这被以为是优化传热效果的审慎谋划决策。氧化层的数目和厚度是传热的要道身分，AMD 正在尝试通过尽可能减少氧化层来处理热问题。

结构谋划的在意分析仍在进行中，瓦西克考虑使用扫描电子显微镜进一步商讨它。尽头是，很多技巧细节仍有待澄莹，包括组成稀奇 64MB 缓存的 SRAM 块的具体甩掉以及从封装板到芯片的布认知线。这些分析规矩有望为下一代处理器的谋划提供蹙迫提倡。

这一发现表现了顶端半导体封装技巧面对的一个真义的悖论。事实上，需要更多倍的“废”硅来保护极薄的责任硅，这一事实标志着半导体行业的近况，半导体行业不断冲突袖珍化的极限。

如若莫得与台积电的密切谐和，这项技巧是不行能收场的，它标明了深度技恰恰作伙伴洽商的蹙迫性，而不单是是简便的制造外包。望望这项技巧将在 Ryzen 9 9900X3D 和 Ryzen 9 9950X3D 中发展到什么进程将会很真义，瞻望将不才个月的 CES 上发布。